Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.
Мы не будем подробно останавливаться на устройстве и принципах работы MRAM-памяти — много детальной информации вы найдете по ссылке выше. Отметим лишь ее основные характеристики. Итак, Intel использует схему «запись — проверка — запись» и двухэтапную технологию измерения тока для того, чтобы построить перпендикулярные массивы STT-MRAM (spin-torque-transfer MRAM) объемом 7 Мб, созданные по 22-нм технологии FinFET.
Схема ячейки MRAM
Будучи энергонезависимой памятью, массивы MRAM обеспечивают сохранность данных до 10 лет при температуре 200°C, выдерживают до 106 циклов перезаписи и до 1012 циклов чтения. Помимо высокой надежности, MRAM демонстрирует удивительно хороший уровень выхода продукта (всего 0,1% отбраковки), что, несомненно, скажется на себестоимости.
Приведем в табличке прочие характеристик:
Технология | 22FFL FinFET |
Тип ячейки | 1T1MTJ |
Размер ячейки | 0,0486 µm2 |
Объем | 7 Мб |
Плотность (с учетом ЕСС) | 10,6 Мб/мм2 |
Время чтения | 4 нс при 0,9 В, 8 нс при 0,6 В |
Время записи | 10 мкс для концевого бита |
Защита от перетекания | Да |
К сожалению, не доступен сервер mySQL